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产品名称: GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀
产品型号:
产品简述:15040105
浏览次数: 2327
技术参数
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用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作及清理方便的优点,还具有蒸镀速率快,电子束定位准确能量密度高,可以避免坩埚材料的污染等特点。1、由于电子束定位准确能量很高,可蒸发难熔金属或化合物,蒸发速率快;
2、体积小,操作简便可以非常容易的放置材料和清理;
3、蒸发材料放置在水冷铜坩埚中,可避免坩埚材料的污染,制备高纯薄膜;
4、由于蒸发物面积小,因而热辐射损失小,热效率高;

产品名称

GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀

产品型号
GSL-ZDDZS-500
安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。
1、水:设备配有自循环冷却水机,水温小于25℃,水压0.25-0.4Mpa,流量高于12 l/min(加注纯净水或者去离子水);
2、电:AC380V 50Hz,功率大于10KW,波动范围:小于±6%,必须有良好接地(对地电阻小于2Ω);
3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备氮/氩气气瓶(自带Ø10mm双卡套接头)及减压阀
4、场地面积:设备尺寸2000mm×2000mm,承重1000kg以上
5、通风装置:需要(外排废气管道);

主要参数

1、极限真空度:≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后);

2、系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;
3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,45分钟可达到6.6x10-4 Pa;

基片参数 1、基片尺寸:可放置φ4″基片(带手动挡板);
2、基片加热最高温度 800℃±1℃,由热电偶闭环反馈控制;
3、基片可连续回转,转速5~60转/分;
4、基片与蒸发源之间距离300~350mm可调;

电子束蒸发源参数

1、E型电子枪,阳极电压6KV、8KV;
2、电子枪坩埚:水冷铜坩埚,四穴设计,每个熔炼11ml ;
3、电子束功率0-6KW可调;

真空腔体

1、U型真空室尺寸Ф500X600mm,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封;
2、真空腔体前开门铰链结构,方便取、放样品;
3、前开门设有两个观察窗接口,可以观察电子枪和基片;
4、设备预留膜厚仪接口,可选配膜厚仪;
5、高真空分子泵机组,闸板阀隔断(也可使用高真空挡板阀);

产品规格

整机尺寸:1800mm×1200mm×2000mm

标准配件

1电源控制系统1套

2真空获得机组1

3真空测量1

4电子枪1

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