客服
留言
返回顶部

工作时间

周一至周五:8:00-11:30 12:30-17:00

产品中心

Products Center

#
  • #
  • #
#
产品名称: 提拉法(CZ)单晶生长炉
产品型号: IMCS-2000-CZ
产品简述:
浏览次数: 1016
技术参数
设备视频
附件下载

IMCS-2000-CZ是一款小型的提拉法(CZ)晶体生长炉。可用于生长各种金属和氧化物单晶,所生长晶体的直径小于25mm。此设备最高温度可达2100℃,可用于生长Al2O3,GGG,YAG,LaAlO3,Si,Ge和各种金属单晶等。

产品名称

提拉法(CZ)单晶生长炉IMCS-2000-CZ

产品型号

IMCS-2000-CZ

主要参数

·输入电压:380VAC,三相
·感应加热最大输入电流50A
·最大输出功率25KW

真空腔体:
·真空腔体采用304不锈钢制作
·真空腔体尺寸:Φ320×320mm
·腔体门上有一石英窗口(Φ120mm),用于观察材料熔化,种籽晶和长晶过程
·一个KF25接口和一个KF40真空接口在腔体后端
·LF160接口在腔体右侧,用于连接分子泵系统。

提拉机构:
·提拉机构采用精密伺服电机驱动
·提拉速度:0.1-10mm/hr 
·提拉干旋转速度:0.1-23RPM 
·移动行程:0-300mm 
·提拉机构可快速移动35mm/min

真空&气氛:
·真空腔体种可抽真空和通入惰性气氛 
·设备中配有一个数显防腐真空计(传感器上涂油陶瓷涂层),测量范围为10^-5 ~ 1000 torr 
·真空度:5×10-5 torr(采用分子泵系统)
5×10-2torr(采用机械泵)
·可在本公司选购各种真空泵

感应加热;
·25KW(30-80KHz)感应电源,带有时间控制器和功率控制器 
·感应线圈:Φ90mm×80mmH 
·其他尺寸线圈可定制 
·设备需要:116L/min的循环水冷机 
·标配种不含温控系统,可选配温控系统,对熔炼温度进行控制

应用注意事项;
           
          熔化材料                籽晶种入到溶液            提拉开始      生长的氧化铝单晶        生长的Ni单晶

设备尺寸;

相关文章

免责声明

本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等),仅供参考。可能由于更新不及时,或许导致所述内容与实际情况存在一定的差异,请与本公司销售人员联系确认。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知。

在线留言

请填写表格与我们联系

看不清楚,换一张